（原标题：三星的NAND，也被SK海力士越过了）

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最近，SK海力士推出首款300层NAND闪存家具，要挟三星电子在存储半导体行业的最初地位。三星电子在高带宽内存（HBM）时刻和最近的 DRAM 时刻方面被评价为被越过，但在 NAND 堆叠竞争中也失去了最初地位，将其竞争颓势延迟到各式内存家具中。

SK海力士于11月文书1月22日，该公司已驱动量产321层1Tb（太比特）三层单位（TLC）NAND闪存。该家具将每个可存储三位的单位堆叠成 321 层，总容量达到 1Tb。

到目下截止，业界最高层数的家具在200层鸿沟内。SK海力士是第一个奏效量产300层家具的公司。新家具的数据传输速率比上一代家具快12%，读取性能提高13%。数据读取功耗成果也普及了10%以上。SK海力士干系东说念主士讲明称，“通过321层NAND，咱们筹谋积极应酬新的低功耗、高性能AI商场，并徐徐扩大其欺诈鸿沟。”

SK海力士在300层家具上获取最初的讯息，引起了三星电子里面的危险感。最初将垂直堆叠单位时刻交易化而不是水平堆叠以扩大 NAND 家具产能的前驱不是别东说念主，恰是三星电子。三星电子于 2013 年通过垂直堆叠单位推出了业界首款“V（垂直）NAND”。自此，NAND行业时刻竞争的递次就酿成了能堆叠些许层。三星电子干系东说念主士示意，“在上一代家具中，三星电子通过改动量产准备评估的递次或要求，在最初的开导阶段获取了最初，但当今SK海力士的时刻照旧显著跳跃，这使得它变得艰难。”

与 DRAM 比较，NAND 一直处于 AI 欢喜以外，但最近厌烦发生了变化。数据中心对因循东说念主工智能狡计的快速高性能固态硬盘（SSD）的需求激增，尤其是企业级SSD（eSSD），与HBM的需求访佛。SK 海力士是从 AI 驱动的 NAND 欢喜中受益最多的公司之一。本年第三季度，SK海力士的eSSD销量同比猛增430%，占SSD总销量的60%。

SK海力士正在加快扩大以eSSD为中心的NAND竞争力。最近，指引该集团东说念主工智能策略的SK集团董事长Chey Tae-won出任SK海力士子公司Solidigm董事长。Solidigm是业内独逐个家领有量产四级单位（QLC）NAND时刻的公司，在eSSD供应方面处于最初地位。QLC 每个单位最多可存储 4 位，容量高效，相配合适大容量 AI 数据中心使用的 eSSD。一位业内东说念主士示意，“东说念主工智能数据中心比PC和手机需要更高容量和更快的存储建设”，“与传统HDD比较，eSSD具有性能上风，但价钱一直是禁止。基于QLC的家具具有更高的容量和资本”与其他时刻比较的成果，使其受到东说念主工智能数据中心的追捧。”

关于三星电子来说，NAND是必须保护的临了一齐防地。它一直是内存行业的大哥，但由于AI驱动的姿色变化，它在HBM和DRAM范畴贯串濒临SK海力士的危险。在HBM商场，SK海力士是Nvidia的主要供应商，而不才一代DRAM（D1c）的量产竞争中，字据业界共鸣，SK海力士稍微最初。

一位业内东说念主士示意，“若是三星电子让SK海力士在NAND闪存范畴继DRAM和HBM之后奋发有为，这将是三重打击，对行业的标记真谛将是紧要的”，“尽管三星电子的销售份额目下势不行挡，但基于 SK 海力士在约束增长的 eSSD 商场中的苍劲发扬，差距不错速即减轻。”

NAND，巨头严慎

最近，有东说念主惦记通用 NAND 商场的发扬将比最初预期的更差。这是因为迁徙和PC家具的需求低迷，供应商之间的竞争加重。据此，三星电子和SK海力士来岁也将减少建设投资。

24日业内东说念主士示意，由于NAND闪存商场的不细则性，韩邦原土主要存储器厂商对来岁的建设投资给与保守格调。

由于PC等蹧跶IT行业需求低迷，NAND市局势临价钱下行压力。字据商场参谋公司 DRAM Exchange 的数据，上个月用于存储卡和 USB 的通用 NAND 家具（128Gb 16Gx8 MLC）的平均固定来往价钱为 3.07 好意思元，环比下落 29.18%。

此外，由于其后者积极膨胀商场，对通用NAND供应多余的担忧正在加重。

Kiwoom Securities参谋员Park Yoo-ak示意，“在第四季度的NAND商场中，eSSD（企业级SSD）价钱瞻望将保抓踏实，但迁徙建设的价钱瞻望将下落15%，蹧跶级SSD与上一季度比较，增长了 10%，个别 NAND 家具增长了 11%。”“这是由于与 Kiosia 和其他公司的竞争加重，”他讲明说念。

在最近的一份论说中，花旗银即将来岁的 NAND ASP（平均销售价钱）从增幅 12% 下调至增幅 5%。主要原因是迁徙和PC商场的NAND需求弱于预期。

因此，三星电子和SK海力士等国内主要存储建设公司对来岁的NAND干系门径投资给与保守态度。

三星电子最近将其平泽第四园区（P4）的第一条坐褥线“P4F（闪存）”鼎新为“P4H（夹杂）”。该策略是将该坐褥线动作同期批量坐褥 NAND 和 DRAM 的坐褥线来运营，而不是有益用于 NAND 的坐褥线。

受此影响，NAND产能膨胀筹谋也被缩减。最初，三星电子筹谋在第一条 P4 坐褥线上确保每月约 45,000 片的 NAND 最大产能，但据悉，在改动坐褥线用途后，该产能减少至每月约 35,000 片。

一位业内东说念主士讲明说，“三星电子正在专注于顶端DRAM诊治的投资，而被迫投资于NAND”，并补充说，“字据行业情况，三星电子有可能进一步放缓投资。”

SK海力士还在公布第三季度财报的电话会议上示意，“咱们筹谋保抓保守的NAND投资态度，直到行业库存收复正常且全面需求改善”，并补充说念，“咱们只会投钞票品的工艺诊治”保证盈利智商。”“咱们会履行它，”他说。

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