（原标题：两泰半导体产业发生市集型变迁）

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最近半导体产业有2块规模运行发生权贵的市集型态变迁，一块是表率型DRAM，另一块是熟谙逻辑制程。这两个规模是孤苦规模，咫尺变化发生的原因访佛。

DRAM市集的变化是依然早早被预期的，咫尺才权贵发生才是预念念以外。

以三星电子（Samsung Electronics）为例，2010年进入30纳米量产制程，费了4年才挪动往20纳米，这依然花了往日摩尔定律所需2倍多的时代。进入10几纳米世代后，更是举步维艰。常常得花1、2年的时代才气上前推动2纳米。

到1b（约略约12纳米）制程后，EUV必须派上用场。天然不错减少一些多重曝光的次第，可是资本偶然下跌。EUV的折旧是资本中的一大块。

DRAM会先遭遇摩尔定律壁障是半导体产业的通识。DRAM用来骄气府上的单位是电容上的电子。电容上的电子会随时代而流失，府上需要用刷新电流（refresh current）来更新、保管正确性。电容值（capacitance）愈大，府上不错保管得更久。电容值与电容的面积成正比，可是制程微缩却是让系数元件的基大地积减弱—即使当代电容承载电子的面积其实已是垂直耸峙的—电容值要保管在一定的数值变得特地勤奋。这让DRAM制程微缩举步维艰。

DRAM濒临摩尔壁障意味着什么？除非有新的科技转变能突破咫尺所濒临的微缩与电容值标的冲突的窘境，比方3D DRAM、无电容（capacitorless DRAM）等委果能替代现行的DRAM的架构，DRAM制程的龟速演进快到非常了。

DRAM仍是电子产业的必需品，市集很长一段时代内阻抑或缺。但DRAM不再是高技术产业，意即它创造经济价值的模样不再依赖于捏续的研发再参加，相称是制程的微缩；它也不是不成收获了，仅仅它的告成方程式依然变更了。

天然DRAM制程只可牢固爬行，10几纳米的厂房诞生和极其细致的制程以及无数的资深工程师照旧形成极高的进入禁锢。兼之，DRAM产业也早已进入寡头独揽的产业型态，即使DRAM产业早已不具备高技术产的创造价值型态，在往日DRAM产业仍然难以进入。

破损这脆弱均衡场面的身分是好意思中商业抵挡。

2018年后，中国的半导体自给率的条目让巨量资金注入这个产业，限制经济上风以及寡头独揽的情势徐徐明白。DRAM产业，除了与AI发展存一火相许的HBM还保有较多的捏续时候转变价值外，将进入与之前裕如不同的营运以及竞争方法。

熟谙的逻辑制程推行上也有访佛的处境。

熟谙制程是研发先进制程后的价值最大诈欺，被应用于一些特假寓品质价比高最适制程。要新进入这个产业，除了有上述的DRAM产业进入禁锢以外，新进者也要面对先进者研发经费摊提、诞生折旧完成的竞争上风。

相通的，熟谙制程的经济价值产生也不是主要靠制程微缩。

以Sony的CIS为例，从2004年的90纳米到2024年的28纳米，20年间不外只前进3个世代。其中的价值创造主要在后面照明（backside illumination）、以铜夹杂键合（copper hybrid bonding）的先进封装整合入逻辑乃至于DRAM晶片等。

是以熟谙制程的节点自己也不是以高技术产业的告成方程式来营运和竞争。将此一事实明晰摆上台面的驱上路分，亦然好意思中商业抵挡下中国对半导体元件自给率的条目。

这些运行败露的半导体产业真的面庞，关于念念进入或着再行进入半导体产业的国度也许来的实时—半导体产业不全然是高技术产业。要踏入高技术产业、享受高技术产业捏续的成长以及逾额的利润，还要避让犀利的竞争；抑或先从相比可及的熟谙制程半导体动手，却要避让已蒙胧像红海的雷区？作念怎么样的弃取、遴选怎么样的计策，这是个大哉问！

https://www.digitimes.com.tw/col/article.asp?id=15320

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