（原标题：芯片的要道问题，初度被冲破）

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跟着东说念主工智能(AI)边界的握住发展，对下一代高性能半导体的遑急且日益增长的需求正在赶紧增长。为特出志这一需求，材料的开拓性超越和革命的半导体结构已变得至关关键。

酌量东说念主员初度诓骗等离子体增强化学气相千里积 (PECVD) 技巧迷惑出 4 英寸异质结构制造技巧。这项革命技巧不错制造出低功耗、高性能的半导体，冲破了传统硅基处分决策的极限。

该酌量团队由韩国机械材料酌量院(KIMM)半导体制造酌量中心高档酌量员 Hyeong-U Kim 引导，与成均馆大学机械工程系涵养 Taesung Kim 的团队无间，创造了历史。该团队谢寰宇上初度使用等离子技巧收效制造出 4 英寸异质结构半导体。该技巧有望诓骗 TMDc 等下一代半导体材料应用于 AI 半导体。

该酌量所称：“过渡金属二硫化物是下一代半导体的候选材料，其原子级二维结构可提供近似硅的性能、低功耗操作和快速切换速率。”它们“荒谬合适神经风光系统，并用于机器学习、深度学习和领会打算。”

这种二硫属化物包括二硫化钼（MoS2）、二硫化钨（WS2）和硒化钼（MoSe2）。

助长了两种异质结构：

WS2和石墨烯，通过将 1nm 的钨千里积到石墨烯转机晶片上，然后进行 H2S 等离子体硫化而制成。

斜方晶系1T相（金属）二硫化钼（MoS2 ）位于六方晶系2H相MoS2上，反之也是。

具体而言，酌量团队诓骗 PECVD 成立取得了这一发达，创造了两种革命的 4 英寸晶圆级异质结构。第一种是连合 WS? 和石墨烯的顶端异质结构。这是通过在石墨烯转机晶圆上千里积仅 1 纳米的钨 (W) 金属层，然后进行精准的 H?S 等离子硫化工艺结束的。

此外，该团队通过将两种不同相的二硫化钼 (MoS?) 集成为薄膜，在迷惑金属半导体异质结构方面取得了关键冲破。与知晓的六方 2H 相比较，1T 相呈现亚稳态正交结构，对大面积晶圆坐褥提议了挑战。

然则，该团队收效坐褥出 1T 阶段的 4 英寸晶圆，为结束 1T-2H 异质结构铺平了说念路。传统的创建异质结构的武艺（如堆叠）仅限于小尺寸（仅几微米），况且往往存在可重叠性问题。

酌量团队诓骗 PECVD 制作出 4 英寸晶圆级异质结构，处分了这些问题。这项革命为创建 3D 集成结构铺平了说念路，大大减少了功率损耗和散热，从而提升了性能和动力成果——这是低功耗、高性能 AI 半导体的要道身分。

KIMM 高档酌量员 Hyeong-U Kim 暗意：“这项新迷惑的技巧不仅得志了晶圆尺寸和可重叠性的条目，而且还允许进行往日仅限于学术酌量的履行考证。” “使用半导体行业无为使用的器用 PECVD，这项技巧具有很大的批量坐褥后劲，可能有助于提升 AI 半导体的性能和买卖化。”

KIMM通过在好意思国和韩国注册专利，得到了两种4英寸异质结构晶圆制造的私有技巧。

https://www.techexplorist.com/worlds-first-large-area-semiconductor-fabrication-with-tmdc/92015/

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